三星半导体(Samsung Semiconductor Inc. ，SSI)的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节，包括将扩展其FD-SOI产能，以及提供现有FinFET制程的低成本替代方案。 而其中最受瞩目的就是三星将开发低成本14奈米FinFET制程(14奈米LPC)，该公司已经出货了超过50万片的14奈米制程晶圆，并将该制程的应用扩展到网路/伺服器以及汽车等领域，但三星的晶圆代工业务行销资深总监Kelvin Low表示，他预期下一代应用将可扩展至需求较低成本的项目。 “总是会有一些关于成本与性能权衡的疑虑，”Low接受EE Times美国版编辑访问时表示：“LPC与LPP (14奈米)有同样的PDK，而制程步骤已经减少…这让我们能达到较低的制造成本，而且我们决定将之与我们的客户分享。” 三星也将在今年提供14 LPC的RF附加技术；Low并未说明那些制程步骤被减少，也未提及14奈米LPP (即Low-Power Plus，为三星第二代14奈米FinFET制程技术)与LPC之间的成本差异到底有多少，仅表示较低成本的制程技术选项将能在今年某个时间提供。 Low补充指出，三星将发表10奈米LPP制程技术，在性能上会比第一代的10奈米LPE (Low-Power Early)制程提升10%；而虽然三星的晶圆代工事业部门已经开始研发7奈米LPP节点，并号称在功耗、性能与面积(PPA)的微缩上具竞争力，但Low表示在10奈米节点与7奈米节点之间会有一些模糊地带。 “我们认为10奈米节点的寿命会比其他晶圆代工厂所声称的更长，而我们认为7奈米节点必须要以大量生产为目标进行定义与最佳化，不只是锁定高利润的产品；”Low表示：“EUV微影技术会是让7奈米节点技术达到可负担之成本的重要关键。” 据了解，三星最近已经向一组客户简报其EUV技术现况，但细节不便对媒体透露；Low表示，该公司已经有一些样本产出，但还不到可以宣布7奈米制程EUV技术可行的地步。 在现有技术方面，三星正在提升8寸晶圆技术的产能，从180奈米到65奈米节点；8寸晶圆技术将涵盖嵌入式快闪记忆体(eFlash)、功率元件、影像感测器，以及高电压制程的生产。“我们持续收到客户对8寸晶圆技术产能的需求，”Low表示：“我想目前在某些特定区域仍供不应求，而且相关需求越来越显着。” 三星也将在现有的28奈米FD-SOI基础上，于2017、2018年添加RF与嵌入式非挥发性记忆体(NVM)技术；该公司将更聚焦于先进制程技术，而非出货量已经下滑的智慧型手机相关技术。Low表示：“重要的是有很多新应用出现，都是非常令人兴奋的东西；”他指出，如汽车应用市场对该公司就是不少可期待的商机。 为了克服先进制程节点的挑战，Low表示三星正积极与客户进行更深一层、更早期的合作；该公司也会对客户开放其设计流程以及设计方法，以加速产品设计时程。